IRFI1310N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFI1310N		141.48

Версия для печати

Технические характеристики IRFI1310N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1900pF @ 25V
Power - Max	56W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI1310N (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFI1310N datasheet
106.39Kb
8стр.