Версия для печати
Технические характеристики IRFP140N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP140N Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP140N datasheet 159.81Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5200+2SA1943 ПАРА		Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)	TOS
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W			130.28
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	МЕКСИКА
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INFINEON
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	NEC
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS	16	27.43
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C			31.40
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	МЕКСИКА
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	1
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 085	28.00
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	30.60
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	1 410	30.00
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN		1 018	26.25
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ	1 936	80.69
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ТРАНЗИСТОР
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	БРЯНСК	9 120	30.00
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	МИНСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	УЛЬЯНОВСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	RUS
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ИНТЕГРАЛ	6	33.46
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМН
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ ЭЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"