|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5200+2SA1943 ПАРА |
|
Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
IRFP140N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP140N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W
|
|
1
|
203.50
|
|
|
|
IRFP140N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP140N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 27A, 94W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
|
|
143.40
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
EVVO
|
2 876
|
85.24
|
|
|
|
PIC16F628A-E/P |
|
PIC16F628A Высокопроизводительные 8-разрядные КМОП микроконтроллеры с Flash памятью, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-E/P |
|
PIC16F628A Высокопроизводительные 8-разрядные КМОП микроконтроллеры с Flash памятью, ...
|
|
|
718.80
|
|
|
|
PIC16F628A-E/P |
|
PIC16F628A Высокопроизводительные 8-разрядные КМОП микроконтроллеры с Flash памятью, ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-E/P |
|
PIC16F628A Высокопроизводительные 8-разрядные КМОП микроконтроллеры с Flash памятью, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
397
|
37.80
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
911
|
32.22
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 479
|
16.80
|
|