IRFPG50
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFPG50 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | Vishay/Semiconductors |
|
|
||
| RES R1 5W |
|
|
