Версия для печати
Технические характеристики IRFR9024N

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	38W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR9024N 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR9024N datasheet 119.67Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 560	14.20
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		28 880	2.88
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	МИКРОН
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		28 880	2.88
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	HOTTECH	3 600	3.41
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	JSMICRO	11 836	2.52
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ИНТЕГРАЛ
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,			16.80
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	UTC
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	МИНСК
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FAIR
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ST MICROELECTRONICS
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FAIRCHILD
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FSC
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ONS
		MMSZ11T1G			ON SEMICONDUCTOR
		MMSZ11T1G			ON SEMICONDUCTOR
		MMSZ11T1G			ONS
		MMSZ11T1G
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в	SMK
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в	Littelfuse Inc
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в	DC COMPONENTS
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в
		P4KE36CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 400Вт, 36в	LITTELFUSE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"