IRFS31N20D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFS31N20D		164.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFS31N20D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2370pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB31N20D (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.082ohm, Id=31A)

Также в этом файле: IRFS31N20D

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFS31N20D datasheet
193.45Kb
11стр.