![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 28A |
Power - Max | 100W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRG4BC30KD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
220МКФ 100 (13X26)105°C |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 8 | 428.40 | |
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | IXYS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | 7 | 468.00 | ||
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | IXYS CORPORATION |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | VISHAY/IR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFP264 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W | 1 |
![]() |
![]() |
|
![]() |
IRG4PC40W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
||
![]() |
IRG4PC40W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный |
![]() |
290.60 | |||
![]() |
IRG4PC40W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
![]() |
![]() |
||
![]() |
IRG4PC40W |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|