IRG4PC30W
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC30W (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А |
|
107.04 | ||
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
 |
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) |
|
468.40 | ||
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | INFINEON |
|
|
|
|
|
KA2281 | SAMSUNG |
|
|
||||
|
|
KA2281 |
|
32.52 | |||||
 |
|
7915 (L7915CV) |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
| К140УД8Б | 108 | 536.50 | ||||||
| К140УД8Б | ТОНДИ |
|
|
