IRG4PC50F
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 200W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 39A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AD) |
| Корпус | TO-247AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC50FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
