|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
|
|
85.24
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
|
536
|
71.85
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
JSMICRO
|
243
|
52.44
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 846
|
131.62
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
|
|
320.00
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
9.83
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
|
|
3.76
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102КМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
471
|
35.91
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
771
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|