IRG4PF50W


Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz

Купить IRG4PF50W по цене 377.52 руб.  (без НДС 20%)
IRG4PF50W Корпус TO-247-3 Напряжение К-Э максимальное...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRG4PF50W цена радиодетали 377.52 

Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное 900 В
Ток коллектора максимальный при 25°C 51 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 28 А
Напряжение насыщения К-Э 2.25 В
Время нарастания 50 нс
Время спада 110 нс
Примечание IGBT Discretes, Hard switching, WARP 30-150 kHz
Версия для печати

Технические характеристики IRG4PF50W

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)900V
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 28A
Current - Collector (Ic) (Max)51A
Power - Max200W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247AC
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PF50WPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PF50W datasheet
645.5Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
HFA25TB60S UFAST диод 25А 600В   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60S UFAST диод 25А 600В     Заказ радиодеталей 236.76 
HFA25TB60S UFAST диод 25А 600В   Vishay/Semiconductors Заказ радиодеталей цена радиодетали
HFA25TB60S UFAST диод 25А 600В   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND       Заказ радиодеталей 1 109.60 
    HGTG10N120BND     FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HGTG10N120BND     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF1010E Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER 4 178.50 
IRF1010E Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт     4 187.20 
IRF1010E Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INTERNATIONAL RECTIFIER 40 692.73 
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный     Заказ радиодеталей 660.00 
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт     Заказ радиодеталей 61.20 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAIRCHILD 26 168.30 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   ONS 1 94.46 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход