IRG4PH30KD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 100W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH30KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-1.0 5% |
|
ЧИП — резистор | FAITHFUL LINK |
|
|
||
|
|
0805-1.0 5% |
|
ЧИП — резистор | 1 560 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||
|
|
0805-2.0K 5% |
|
ЧИП — резистор 2кОм, 1% | 416 | 1.20 | |||
 |
|
0805-200 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| 1206-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В | KOME |
|
|
|||
| 1206-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В | 24 | 1.24 | ||||
| TS13DH2W220MSB0B0R | SUNTAN | 712 | 44.72 | |||||
| TS13DH2W220MSB0B0R |
|
|
