IRG4PH50U
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
IGBT транзистор с высокой скоростью переключения. |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 24A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH50UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
Производитель:
|
