|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5330pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL1004S (N-канальные транзисторные модули) 40V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL1004STRL, IRL1004STRR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
СМАЗКА ДЕМПФЕРНАЯ, 3 Г. | 78.00 | |||||||
СМАЗКА СИЛИКОНОВАЯ MITSHUBISHI, 5 Г. | 78.00 |
|