|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 116A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL2203NL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =7.0mohm, Id=116AРЃРЅ) Также в этом файле: IRL2203NS
Производитель:
|
|