|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 38A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
Power - Max | 68W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRL3303S (N-канальные транзисторные модули) 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL3303L
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | FAI/QTC | ||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | FAIR | ||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | FSC | ||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | 2 | 151.20 | |||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | FSC1 | ||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | ТАИЛАНД | ||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | |||||||
DP904C | SMPS SAMSUNG 795 | 1 |
|