|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL540NS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7822 | Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7822 | Транзистор полевой SMD | 75.96 | ||||||
IRL540NL | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR120N | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR120N | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 40 | 58.24 | |||||
IRLR120N | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON | ||||||
KG-63-15000 | Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В | TREC | ||||||
KG-63-15000 | Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В | 336.44 | ||||||
KG-63-15000 | Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В | КИТАЙ | ||||||
ТСО142-40-7 | 9 | 765.00 |
|