IRL5602S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL5602S		84.00

Версия для печати

Технические характеристики IRL5602S

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 12A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1460pF @ 15V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL5602S (P-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRL5602S datasheet
171.75Kb
8стр.