IRLR3303

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR3303		81.84

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3303

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	870pF @ 25V
Power - Max	68W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR3303 (N-канальные транзисторные модули)

30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR3303 datasheet
139.16Kb
10стр.