IRLR3715Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR3715Z		58.08
IRLR3715Z (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	233	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3715Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 10V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR3715Z (Дискретные сигналы)

20V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA I-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR3715Z datasheet
204.01Kb
11стр.