IRLZ34NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLZ34NS		65.76

Версия для печати

Технические характеристики IRLZ34NS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLZ34NS

55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLZ34NS datasheet
180.21Kb
10стр.