Биполярный высоковольтный N-P-N транзистор средней мощности. |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Transistor Type | NPN |
Серия | SWITCHMODE™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 500mA, 2V |
Power - Max | 1.4W |
Frequency - Transition | 10MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-225-3 |
Корпус | TO225AA |
UTCMJE13003 (Биполярные транзисторы) SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КТ8170А1 | 68 | 8.75 | ||||||
КТ8170А1 | МИНСК | 1 320 | 12.00 | |||||
КТ8170А1 | ИНТЕГРАЛ | 800 | 35.70 |
|