PMBF170

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMBF170		24.84

Версия для печати

Технические характеристики PMBF170

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	300mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	40pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMBF170 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PMBF170 datasheet
59.92Kb
8стр.