SSS10N60B
Полевой транзистор
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SSP10N60B 600V N-Channel MOSFET Также в этом файле: SSS10N60B
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A | INTERNATIONAL RECTIFIER | 52 | 469.20 | ||
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A | 18 | 114.40 | |||
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IR21571 |
|
Балласт электронный. Uсм=600В, Iвых=0.5A | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) |
|
362.40 | |||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | IR/VISHAY | 6 | 314.87 | ||
| SMD IS-1290 |
|
|
||||||
| SMD IS-1290A-W |
|
|
||||||
| SMD IS-1290A-W |
|
|
||||||
| РЕЗИСТОР ИМП. 1 W-0,47 ОМ-5% | 4 | 10.56 |
