STP50NE08

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP50NE08		289.60

Версия для печати

Технические характеристики STP50NE08

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 25A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5100pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP50NE08 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZETM " POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP50NE08 datasheet
97.44Kb
8стр.