|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
1 154
|
2.70
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.35
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 970
|
3.34
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
17 663
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
10.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
4 160
|
27.75
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
267
|
139.62
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
|
|
102.80
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
EVVO
|
2 728
|
30.73
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
51.02
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
|
178
|
31.45
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7915CV |
|
Линейный отриц. Стабилизатор напряжения -15.0V, 4%, 1.5A, макс. -35В
|
SUNTAN
|
1 051
|
34.12
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
|
351
|
69.65
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
TIP36C |
|
Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц
|
1
|
|
|
|