Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ЭЛЕКТРОУСТАНОВОЧНЫЕ ИЗДЕЛИЯ

 » 

ФЕРРИТЫ И АКСЕССУАРЫ

Синонимы от поставщиков: М2000НМ1-36 К20х12х6 ; М2000-НМ1-36 ; М2000 НМ1-36 ; М2000 — НМ1-36 ; М2000НМ1-36 ; М2000-НМ1 ; М2000 НМ1 ; М2000 — НМ1 ; М2000НМ1 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)		41 760	1.24  >100 шт.   0.62
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIR
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	10 617	1.74
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DI
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP	36 964
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	ONS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIODES
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	HOTTECH	115 502	1.45
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KLS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	SUNTAN	706	1.96  >100 шт.   0.98
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YJ	538 645	1.36
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	XSEMI	40 800	1.56  >100 шт.   0.78
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		KBPC5010 50А 1000В (MB5010)		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
		КД2997А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс		2	120.25
		КД2997А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
		КД2997А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	СЗТП	8	408.24
		КД2997А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСК
		КД2997А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...			145.36
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	МИНСК
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ФРЯЗИНО
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ЭПЛ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ЗБАРАЖ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	RUS
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"