|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
219.24
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
|
1
|
279.72
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
143.64
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
|
1
|
439.74
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
Microsemi Analog Mixed Signal Group
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
1
|
|
|
|
|
|
UCC3818N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UCC3818N |
|
|
|
|
|
|
|
|
UCC3818N |
|
|
TEXAS
|
|
|
|