Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 12 V, ± 2.7 V ~ 6 V |
Ток выходной / канал | 20mA |
Ток выходной | 3.2mA |
Напряжение входного смещения | 700µV |
Ток - входного смещения | 500nA |
Полоса пропускания -3Дб | 110MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 450 V/µs |
Тип выхода | Differential, Rail-to-Rail |
Число каналов | 1 |
Тип усилителя | Differential |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Output Type | Differential, Rail-to-Rail |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
|
|
632.00
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
DS10BR254TSQ/NOPB |
|
|
National Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DS10BR254TSQ/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
DS10BR254TSQ/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5 967
|
32.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
5
|
40.80
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
АЛЬФА РИГА
|
8
|
40.80
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
1
|
32.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
1 442
|
20.47
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
1
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HGSEMI
|
1 716
|
11.76
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
XC95144XL-10TQ100C |
|
|
XILINX
|
1
|
2 400.00
|
|
|
|
XC95144XL-10TQ100C |
|
|
XILINX
|
|
|
|
|
|
XC95144XL-10TQ100C |
|
|
|
|
|
|