Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | PowerTrench® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
|
|
174.00
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.60
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
|
1
|
60.00
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MTS-102-C3 ON-ON |
|
|
|
560
|
30.79
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBV |
|
|
|
|
89.60
|
|