| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
79.05
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
|
240
|
42.24
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
К50-35-16-220 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В
|
|
|
5.76
|
|
|
|
|
К50-35-25-4700 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
|
|
74.88
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
376
|
157.44
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
52
|
216.48
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
452
|
7.20
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
23
|
4.00
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
104
|
5.00
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
1 080
|
6.00
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
14.79
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
544
|
11.81
|
|
Версия для печати
