|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1015Y |
|
PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
532
|
15.30
|
|
|
|
2SA1015Y |
|
PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
85
|
22.80
|
|
|
|
2SA1015Y |
|
PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA965 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA965 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA965 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)
|
|
|
23.56
|
|
|
|
2SA965 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.8A, 0.9W, 120MHz (Comp. 2SC2235)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
DE
|
|
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
|
5.60
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
UTC
|
1 471
|
4.35
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC1815GR |
|
Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
|
|
17.00
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A1D2B |
|
индуктивность для подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|