|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74LVC86D |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74LVC86D |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9951YSVZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 14 бит, 400MSPS, SPI, 32 бит упр.слово, Iвых=5:15мА, ...
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
3
|
160.02
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
20
|
157.50
|
|
|
|
К 555 ЛА3 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
|
1 178
|
34.02
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МЕЗОН
|
552
|
86.79
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛА3 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, время задержки 10 нс, 2 мВт/вентиль, 5В, 11.5 мА
|
RUS
|
|
|
|