Версия для печати
Технические характеристики TPS3820-33DBVTG4

Производитель	Texas Instruments Inc
Количество в упаковке	250 шт.
Вес	0.040 г
Character Size	1
Charge Current	2.93 В
Charge Time	2.93 В
Корпус (размер)	SOT-23-5, SC-74A, SOT-25
Рабочая температура	-40...85 °C
	IC 2.93V SUPPLY MONITOR SOT-23-5

TPS3820 (Мониторинг микропроцессоров) PROCESSOR SUPERVISORY CIRCUITS Также в этом файле: TPS3820-33DBVTG4 Производитель: Texas Instruments //www.ti.com TPS3820-33DBVTG4 datasheet 217.28Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CDRH2D14NP-2R2NC		Дроссель 2,2мкГн, 1,5А	SUMIDA	11 448	30.62
		CDRH2D14NP-2R2NC		Дроссель 2,2мкГн, 1,5А			80.60
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		45 520	3.86
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	63 682	5.90
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	45 368	4.98
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	149 009	2.94
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	30 276	8.66
		NCP1529ASNT1G		Регулируемый понижающий СН	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1529ASNT1G		Регулируемый понижающий СН		3	201.60
		NCP1529ASNT1G		Регулируемый понижающий СН	ONS
		NCP1529ASNT1G		Регулируемый понижающий СН	ON SEMICONDUCTO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"