СП4-1А-0.5-10К А 2-20 5%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | FAIR |
|
|
|||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 |
|
20.80 | ||||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | FAIRCHILD |
|
|
|||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | FAIRCHILD |
|
|
|||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | ON Semiconductor |
|
|
|||
| 2N3819 |
|
Транзистор N-JFET 25В IDSS=2-20мA TO92 | CENTRAL |
|
|
|||
| К73-17-160В-1.5 МКФ 20% |
|
|
||||||
 |
КД419А | 37 | 144.00 | |||||
|
|
КД419А | ОПТРОН | 1 | 240.00 | ||||
 |
 |
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 1 514 | 18.00 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
|
| ПП3-40-33 10% | 5 | 374.40 |
