IRF6215S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF6215S		88.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF6215S

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	66nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6215S (P-канальные транзисторные модули)

150V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF6215S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF6215S datasheet
184.43Kb
10стр.