|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ЧИП 1206 2.4K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 2.4кОм, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 2.4K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 2.4кОм, 5%
|
KOME
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 2.4K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 2.4кОм, 5%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 2.4K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 2.4кОм, 5%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1206-510 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
47
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
AD8353ACPZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8353ACPZ |
|
|
|
|
328.00
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
721.21
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
|
1
|
1 429.20
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
1
|
|
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
|
|
42.00
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UPC2712TB-E3-A |
|
Буфер СВЧ, Fт=2,6ГГц(-3дБ), Кус. мощн.=20дБ(1ГГц), Рвых.нас=+3дБм(1ГГц), ...
|
CEL
|
|
|
|