FQU11P06
MOSFET силовой транзистор, тип Uси: 60 В, Iс 9.4А
|
Корпус TO-251-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQU11P06 (Полевые ДМОП транзисторы) 60v P-channel Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 193.80 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 121.20 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 756 | 56.56 | |
 |
|
2SK1917 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 10A, W | FUJITSU |
|
|
|
|
|
|
2SK1917 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 10A, W | FUJI ELECTRIC |
|
|
|
|
|
|
2SK1917 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 10A, W | 1 | 109.12 | ||
|
|
|
2SK1917 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 10A, W | FUJ |
|
|
|
| ECR63В-3300МКФ | HITANO |
|
|
|||||
| NCP1207P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1207P | ON SEMICONDUCTOR | 64 |
|
|||||
| NCP1207P | ONS |
|
|
|||||
| TDA9381PS/N2/3I0792 = 9361PS/N2/4I1029 |
|
813.76 |
