FQU11P06TU
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | I-Pak |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 25 (10X21)105°C |
|
Конденсатор электролитический 1000мкФ, 25В |
|
|
||||
| 2SC5706-E |
|
NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039) | SANYO |
|
|
|||
| 2SC5706-E |
|
NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039) |
|
78.00 | ||||
| 2SC5706-E |
|
NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039) | КИТАЙ |
|
|
|||
| 2SC5706-E |
|
NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
 |
 |
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 193.80 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 121.20 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 724 | 38.93 | |
|
|
PMBT4401 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
PMBT4401 | NXP |
|
|
||||
|
|
PMBT4401 |
|
|
|||||
|
|
PMBT4401 | NXP | 82 |
|
||||
|
|
PMBT4401 | PHILIPS |
|
|
||||
| ЛАМПА CCFL ПОДСВЕТКА ЖКИ 41СМ(2.2ММ) |
|
1 619.40 |
