BSS169

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS169		35.40
BSS169 (SUNTAN)	10 272	8.21

Версия для печати

Технические характеристики BSS169

Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.8nC @ 7V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	68pF @ 25V
Power - Max	360mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.