19MT050XF
Hexfet® power mosfet
Версия для печати
Технические характеристики 19MT050XF
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7210pF @ 25V |
| Power - Max | 1140W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | 16-MTP |
| Корпус | 16-MTP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
19MT050XF (MOSFET)
HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
Vishay
|
