BSS123W

Версия для печати

Технические характеристики BSS123W

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60pF @ 25V
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SOT-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS123W (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS123W datasheet
139.1 Кб