BSS138W
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 280mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 26µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 43pF @ 25V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-323 |
| Корпус | PG-SOT323-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSS138W (MOSFET) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-NP0-2.2PF +/-0.25PF 50V |
|
Керамический конденсатор 2.2пФ, 50 В, NP0, 0805 | 64 | 1.20 | |||
 |
|
B82721K2362N1 |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
|
|
|
B82721K2362N1 |
|
EPCOS |
|
|
||
|
|
|
B82721K2362N1 |
|
|
|
|||
|
|
|
B82721K2362N1 |
|
TDK |
|
|
||
|
|
|
B82721K2362N1 |
|
TDK-EPC |
|
|
||
| CC0805JRNPO9BN270 |
|
Керамический конденсатор 27 пФ 50 В | YAGEO | 159 014 |
1.23 >500 шт. 0.41 |
|||
| CC0805JRNPO9BN270 |
|
Керамический конденсатор 27 пФ 50 В |
|
|
||||
| CC0805KRX7R8BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 25 В | YAGEO | 93 640 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
|||
| CC0805KRX7R8BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| CC0805KRX7R8BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| CC0805KRX7R8BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 25 В |
|
|
||||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В | YAGEO | 25 604 | 15.17 | |||
| CC1210MKX5R5BB107 |
|
Керамический конденсатор 100 мкФ 6.3 В |
|
|
