BUK9Y19-55B
N-channel trenchmos logic level fet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 46A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1992pF @ 25V |
| Power - Max | 85W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-100, SOT-669 |
| Корпус | LFPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BUK9Y19-55B (MOSFET) N-channel TrenchMOS logic level FET
Производитель:
|
