BUK9Y30-75B


N-channel trenchmos logic level fet

Купить BUK9Y30-75B ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BUK9Y30-75B
Версия для печати

Технические характеристики BUK9Y30-75B

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs28 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C34A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs19nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2070pF @ 25V
Power - Max85W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-100, SOT-669
КорпусLFPAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BUK9Y30-75B (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

BUK9Y30-75B datasheet
190.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход