CSD16322Q5C

Версия для печати

Технические характеристики CSD16322Q5C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	97A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1365pF @ 12.5V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16322Q5C (MOSFET)

N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD16322Q5C datasheet
213.4 Кб