CSD16411Q3

Версия для печати

Технические характеристики CSD16411Q3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	56A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	570pF @ 12.5V
Power - Max	2.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16411Q3 (MOSFET)

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD16411Q3 datasheet
436.1 Кб