CSD25301W1015

Версия для печати

Технические характеристики CSD25301W1015

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 1A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 10V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-UFBGA, DSBGA
Корпус	6-DSBGA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD25301W1015 (MOSFET)

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD25301W1015 datasheet
616.4 Кб