CSD75205W1015
Сдвоенный p-канальный силовой mosfet nexfet™ с общим истоком
Версия для печати
Технические характеристики CSD75205W1015
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-UFBGA, DSBGA |
| Корпус | 6-DSBGA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
CSD75205W1015 (MOSFET)
Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком
Производитель:
Texas Instruments
|
