DMG3415U

Версия для печати

Технические характеристики DMG3415U

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	294pF @ 10V
Power - Max	900mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMG3415U (MOSFET)

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Производитель:
Diodes Incorporated

DMG3415U datasheet
131.4 Кб